Διαφορά μεταξύ BJT και FET
BJT vs FET
Και οι δύο τύποι τρανζίστορ είναι BJT (Bipolar Junction Transistor) και FET. Το τρανζίστορ είναι μια ηλεκτρονική συσκευή ημιαγωγών που δίνει ένα μεγάλο ηλεκτρικό σήμα εξόδου για μικρές αλλαγές στα μικρά σήματα εισόδου. Λόγω αυτής της ποιότητας, η συσκευή μπορεί να χρησιμοποιηθεί είτε ως ενισχυτής είτε ως διακόπτης. Το Transistor κυκλοφόρησε τη δεκαετία του 1950 και μπορεί να θεωρηθεί ως μία από τις σημαντικότερες εφευρέσεις του 20ού αιώνα, δεδομένου ότι συμβάλλει στην ανάπτυξη της πληροφορικής. Διαφορετικοί τύποι αρχιτεκτονικών για τρανζίστορ έχουν δοκιμαστεί.
- <> Το BJT αποτελείται από δύο διακλαδώσεις PN (μία διασταύρωση που γίνεται με τη σύνδεση ενός ημιαγωγού τύπου p και ενός ημιαγωγού τύπου n). Αυτές οι δύο συνδέσεις σχηματίζονται χρησιμοποιώντας τη σύνδεση τριών τεμαχίων ημιαγωγών της τάξης των Ρ-Ν-Ρ ή Ν-Ρ-Ν. Υπάρχουν δύο τύποι BJTs γνωστών ως PNP και NPN.Τρία ηλεκτρόδια συνδέονται με αυτά τα τρία μέρη ημιαγωγών και το μεσαίο καλώδιο ονομάζεται «βάση». Άλλοι δύο κόμβοι είναι «πομπός» και «συλλέκτης».
Στο BJT, το ρεύμα μεγάλου συλλέκτη (Ic) ελέγχεται από το μικρό ρεύμα εκπομπής βάσης (IB) και αυτή η ιδιότητα αξιοποιείται για τον σχεδιασμό ενισχυτών ή διακοπτών. Εκεί μπορεί να θεωρηθεί ως μια συσκευή που κινείται με ρεύμα. Το BJT χρησιμοποιείται κυρίως σε κυκλώματα ενισχυτή.
Τρανζίστορ πεδίου δράσης (FET)
Το FET αποτελείται από τρία τερματικά γνωστά ως 'Gate', 'Source' και 'Drain'. Εδώ το ρεύμα αποστράγγισης ελέγχεται από την τάση της πύλης. Ως εκ τούτου, οι FET είναι συσκευές ελεγχόμενες τάσης.Ανάλογα με τον τύπο ημιαγωγού που χρησιμοποιείται για την πηγή και την αποστράγγιση (στο FET και οι δύο είναι κατασκευασμένοι από τον ίδιο τύπο ημιαγωγού), ένα FET μπορεί να είναι κανάλι Ν ή συσκευή καναλιού Ρ. Η πηγή στην ροή ρεύματος αποστράγγισης ελέγχεται ρυθμίζοντας το πλάτος του καναλιού εφαρμόζοντας μια κατάλληλη τάση στην πύλη. Υπάρχουν επίσης δύο τρόποι ελέγχου του πλάτους καναλιού που είναι γνωστό ως εξάντληση και βελτίωση. Επομένως, οι FET διατίθενται σε τέσσερις διαφορετικούς τύπους, όπως το κανάλι N ή το κανάλι P είτε με λειτουργία εξάντλησης είτε με ενίσχυση.
Υπάρχουν πολλοί τύποι FETs όπως MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), HEMT (Υψηλής Ηλεκτρονικής Ηλεκτρονικής Τρανζίστορς) και IGBT (Μόνωση Διπολικής Τρανσίστορς Πύλης). Το CNTFET (Carbon Nanotube FET) που προέκυψε από την ανάπτυξη της νανοτεχνολογίας είναι το τελευταίο μέλος της οικογένειας FET.
Διαφορά μεταξύ BJT και FET1. Το BJT είναι βασικά μια συσκευή που λειτουργεί με ρεύμα, αν και το FET θεωρείται ως συσκευή ελέγχου τάσης.
2. Οι ακροδέκτες του BJT είναι γνωστοί ως πομπός, συλλέκτης και βάση, ενώ το FET είναι φτιαγμένο από πύλη, πηγή και αποστράγγιση.
